Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3 month
Бренд: Ganova
Выделять:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Посмотреть больше
Связаться сейчас
система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 8-10week days
Бренд: GaNova
Выделять:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Electronic Grade Single Crystal Diamond, 10*10mm2*0.3mm Single Crystal Diamond
диамант электронной уклона 10*10mm2*0.3mm одиночный кристаллический, содержание n<100ppb>
Обзорвафли диаманта Одно-Кристл включают критические выдвижения в оба технология силы RF используемая для сообщений 5G и спутников; также, как в производительность электроники используемая в электрот... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:10*10mm2*0.5mm Single Crystal Diamond
Диамант электронной ранга JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm одиночный кристаллический, содержание n<100ppb>
Обзор
Диамант CVD длиной как окончательный материал в большом разнообразии применений должных к своим весьма качествам.
Для CVD диаманта атомарный водород играет ключевую роль. Он... Посмотреть больше
Связаться сейчас
4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
4-дюймовый GaN P-типа, легированный магнием, на сапфировой пластине Удельное сопротивление SSP ~ 10 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
Электрические свойства GaN p-типа, легированного Mg, исследуются посредством измерений эффекта Холла при переменной температуре.Образцы с диапаз... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD05-001-005 5*5 мм2*0,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:XRD<0.015º Single Crystal Diamond
JDCD05-001-005 5 * 5 мм2 * 0,5 мм монокристаллический алмаз электронного класса, содержание N <100 частей на миллиард, XRD <0,015º Теплопроводность 1000-2200 для радиатора
Обзор
Высокая теплопроводность алмаза сделала его полезным в приложениях для управления тепловым режимом.Широкий диап... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Посмотреть больше
Связаться сейчас
625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Посмотреть больше
Связаться сейчас
4 дюйма 4H-SiC Субстрат P-уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Сопротивляемость≥1E5Ω·cm Для мощной микроволновой печи
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Субстрат 4H-SiC уровня P, микроволновая 4H-SiC субстрат, 4-дюймовый 4H-SiC субстрат
Субстрат P на уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·см для приборов силы и микроволны
Обзор
SiC использован для изготовления очень высоковольтных и высокомощных приборов как диоды, транзисторы силы, и приборы микроволны наивысшей мощности. Сравненны... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Вафля субстрата сапфира C-самолета JDCD08-001-006 6inch
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: Negotiable
Выделять:6inch Sapphire Substrate Wafer
Вафля субстрата сапфира C-самолета JDCD08-001-006 6inch
Сапфиры во-вторых только к диамантам в стойкостиДиамант самый прочный естественно - происходя элемент на земле и рядах как 10 из 10 в масштабе Mohs минеральной твердости. Сапфиры также очень прочны и шереножны как 9 из 10 в масштабе Mohs.
... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Субстраты диаманта CVD JDCD05-001-007
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:CVD Diamond Substrates, CVD Diamond Substrates 007
Субстраты диаманта CVD JDCD05-001-007
Обзор
Диамант уникальный материал который часто показывает весьма свойства сравненные к другим материалам. Открытый около 30 лет назад, польза водопода в плазм-увеличенном низложении химического пара (CVD) включала рост и покрытие диаманта в форме фильма н... Посмотреть больше
Связаться сейчас
2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:2 дюйма GaN на кремниевой пластинке, Зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине, 520nm GaN на кремниевой пластине
2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине
Обзор
Нитрид галлия (GaN) создает инновационный сдвиг во всем мире силовой электроники.На протяжении десятилетий полевые МОП-транзисторы на основе кремния (металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы) были неотъемлемой частью пов... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD06-001-004 5-дюймовая кремниевая пластина MEMS устройства интегрированные схемы специальные подложки для дискретных устройств
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Интегрированные схемы Кремниевые пластинки, Дискретное устройство Силиконовая пластина, 5-дюймовый кремниевый пластинка
5-дюймовые кремниевые устройства MEMS, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
Обзор
Хотя кристаллы кремния могут выглядеть металлическими, они не являются полностью металлами.Благодаря «свободным электронам», которые легко перемещаются между атомами, металлы являются... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD06-001-005 6-дюймовые кремниевые пластинки MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Интегрированные схемы Кремниевые пластинки, Дискретное устройство Силиконовая пластина, кремниевая пластина
6-inch приборы кремниевой пластины MEMS, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
Обзор
Кремний типично счесн смешанный с другими элементами. Элементы кремния могут связать атомы плотно и в сложных расположениях. Обилие кремния делает его недорогим и легким приобрести... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD06-001-006 8-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Интегрированные схемы Кремниевые пластинки, Устройства MEMS Кремниевая пластина, Дискретное устройство Силиконовая пластина
8-дюймовые кремниевые устройства MEMS, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
Обзор
В электронике кремниевые пластины (также известные как подложки) представляют собой тонкие пластины высокочистого кристаллического кремния (c-Si), используемые в производстве интеграл... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD06-001-007 12-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы выделенные подложки для дискретных устройств
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Интегрированные схемы Кремниевые пластинки, Дискретное устройство Силиконовая пластина, 12-дюймовый кремниевый пластинка
12-inch приборы кремниевой пластины MEMS, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
ОбзорКремниевая пластина материал необходимый для изготовляя полупроводников, которые найдены во всех видах электронных устройств которые обогащают наши жизни. Немногое из нас имеют шанс... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Свободностоящий однокристаллический субстрат Ga2O3, Качество продукции Ga2O3 однокристаллическая подложка, 10х10мм2 Га2О3 однокристаллическая подложка
10x10 мм2 (010) отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3, легированная оловом. Качество продукта, одинарная полировка. Толщина 0,6~0,8 мм FWHM<350 угловых секунд, Ra≤0,5 нм. УФ-фильтры
В то время как устройства на основе кремния могут производить относительно эффективные устройства... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:MEMS обрабатывает SOI эпитаксиальную пластинку, 4-дюймовый SOI эпитаксиальный пластинка, SOI эпитаксиальная пластина
4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС
Обзор
Хотя кристаллы кремния могут выглядеть металлическими, они не являются полностью металлами.Благодаря «свободным электронам», которые легко перемещаются между атомами, металлы являются хорошими проводниками электричества, а электри... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD07-001-004 7-дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:7 дюймовый SOI эпитаксиальный пластинка, MEMS обрабатывает SOI эпитаксиальную пластинку, SOI эпитаксиальная пластина
7-дюймовая эпитаксиальная пластина КНИ для обработки МЭМС
ОбзорКремниевая пластина — это материал, необходимый для производства полупроводников, которые используются во всех видах электронных устройств, обогащающих нашу жизнь.Мало у кого из нас есть шанс столкнуться с настоящей кремниевой пласт... Посмотреть больше
Связаться сейчас
JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS
Цена: Negotiable
MOQ: 1
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:5-дюймовая SOI эпитаксиальная вафель, SOI эпитаксиальная пластина, MEMS обрабатывает SOI эпитаксиальную пластинку
вафля 5-inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS
Обзор
Кремниевые пластины (вафля Si) тонкие куски сильно чистого выкристаллизовыванного кремния. Кремниевые пластины действуют как субстрат для микроэлектронных приборов и особенно полезными в строя радиотехнических схемах из-за их проводимо... Посмотреть больше
Связаться сейчас