Дома Продукты Ролики Нас

Вафля Sic эпитаксиальная

(42)
Китай 4 дюйма 4H-SiC Субстрат P-уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Сопротивляемость≥1E5Ω·cm Для мощной микроволновой печи продается

4 дюйма 4H-SiC Субстрат P-уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Сопротивляемость≥1E5Ω·cm Для мощной микроволновой печи

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:Субстрат 4H-SiC уровня P, микроволновая 4H-SiC субстрат, 4-дюймовый 4H-SiC субстрат
Субстрат P на уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·см для приборов силы и микроволны Обзор SiC использован для изготовления очень высоковольтных и высокомощных приборов как диоды, транзисторы силы, и приборы микроволны наивысшей мощности. Сравненны... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи продается

4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:микроволновая 4H-SiC субстрат, 4 дюйма 4H-SiC субстрат, 4H-SiC П-уровне субстрата
JDCD03-002-001 4-дюймовая подложка 4H-SiC P-уровень SI 500,0±25,0 мкм MPD≤0,3/см2 Удельное сопротивление≥1E9Ω·см для силовых и микроволновых устройств     Обзор SiC имеет более высокую теплопроводность, чем GaAs или Si, а это означает, что устройства SiC теоретически могут работать с более высок... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см продается

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:4inch SiC Substrate
4-дюймовая подложка 4H-SiC D-уровень N-типа 350,0±25,0 мкм MPD≤5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см для силовых и микроволновых устройств     Обзор Высокотемпературные устройства Поскольку SiC обладает высокой теплопроводностью, SiC рассеивает тепло быстрее, чем другие полупро... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина продается

2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания продается

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:GaN On Silicon HEMT Epi Wafer, 2 Inch Epi Wafer, Power Device Epi Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si продается

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си продается

6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:6 Inch sic epitaxial wafer, 6 Inch sic epi wafer, 6 Inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке продается

GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом продается

2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина продается

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:Silicon Based Gallium Nitride Epitaxial Wafer, HEMT epitaxial wafer, 4 inch sic epitaxial wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 2 дюйма GaN на кремниевом зеленом светодиодном эпи вафле Галлиевый нитрид на кремниевом продается

2 дюйма GaN на кремниевом зеленом светодиодном эпи вафле Галлиевый нитрид на кремниевом

Цена: Negotiable
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли продается

4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли

Цена: 1000
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли продается

4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли

Цена: 1000
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 4 дюйма UGaN на кремниевом недопированном галлиевом нитриде на кремниевом эпитаксиальном пластинке продается

4 дюйма UGaN на кремниевом недопированном галлиевом нитриде на кремниевом эпитаксиальном пластинке

Цена: 1000
MOQ: 5
Срок поставки: Negotiable
Бренд: Ganova
Выделять:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай вафля 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC эпитаксиальная отсутствие вторичной квартиры 3mm продается

вафля 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC эпитаксиальная отсутствие вторичной квартиры 3mm

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:150.0 mm SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer 3mm, SiC Epitaxial Wafer No Secondary Flat
JDCD03-001-003 Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced into substrates, which are subsequently polished. A thin SiC epitaxial layer is then grown on top of this substrate to create an epi-wafer. Today, the semiconductor industry is expanding at a rapid rate, w... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная продается

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:446mm SiC Epitaxial Wafer, 4 H epitaxial silicon wafer, UKAS SiC Epitaxial Wafer
47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single silicon carbide disc. It is made of high-purity SiC crystals, and can be 100mm or 150mm in diame... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm продается

вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:4H SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer ISO9001, SiC Epitaxial Wafer 0.2 /Cm2
4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard silicon wafer, so the 200-mm diameter can be used for more SiC devices. The 200-mm size is muc... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm продается

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:4H SiC Epitaxial Wafer, silicon epi wafer 0.025Ω•Cm, SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•Cm
4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. Alpha carbide is the most common, and has a hexagonal crystal structure similar to Wurtzite.... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай Уровень п субстрат СиК 2 дюймов для силовых приборов и приборов микроволны продается

Уровень п субстрат СиК 2 дюймов для силовых приборов и приборов микроволны

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:P Level SiC Substrate, Microwave Devices silicon carbide substrate, 2 Inch SiC Substrate
P-Level 4H-N/SI260um±25um 2-Inch SiC Substrate For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview Key features Optimizes targeted performance and total cost of ownership for next generation power elec... Посмотреть больше
Связаться сейчас
Китай 2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники продается

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники

Цена: Negotiable
MOQ: Negotiable
Срок поставки: 3-4 week days
Бренд: GaNova
Выделять:2 Inch SiC Substrate, Demanding Power Electronics 2 inch wafer, SiC Substrate 350um
P-Level 2-Inch SiC Substrate 4H-N/SI260μm±25μm For Demanding Power Electronics JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview High crystal quality for demanding power electronics As transportation, energy and industrial markets evolve, ... Посмотреть больше
Связаться сейчас